[中介]采用低损耗CSTBTTM硅片技术 LPT结构用于1200V模块,更加适合于并联使用额定电流定义比市场上同类产品高一个等级外形尺寸与H系列IGBT完全兼容内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层,热阻小通过调整底板和
18016583065蔡先生福建安溪灿宏电子科技有限公司 电子模块2024-05-11 09:09:43
[中介]采用第6代IGBT硅片技术,损耗低硅片结温可高达175°C 硅片运行温度最高可达150°C 内部集成NTC测温电阻封装兼容第五代A/NF系列模块
18016583065蔡先生福建安溪灿宏电子科技有限公司 电子模块2024-05-11 09:09:41
[中介]采用第6代IGBT硅片技术,损耗低二极管采用第6代LPT硅片技术,正向导通压降低硅片结温可高达175°C 硅片运行温度最高可达150°C 内部集成NTC测温电阻全系列共享同一封装平台有条件接受客户定制
18016583065蔡先生福建安溪灿宏电子科技有限公司 电子模块2024-05-11 09:09:40
[中介]采用CSTBTTM硅片技术,实现开关速度控制的最优化饱和压降低于业界同类产品续流二极管:超高速恢复特性,极低拖尾电流开关频率可达30kHz 模块内部寄生电感低
18016583065蔡先生福建安溪灿宏电子科技有限公司 电子模块2024-05-11 09:09:39
[中介]最新的CSTBTTM硅片技术带来:杰出的短路鲁棒性 - 降低了栅极电容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff 新的紧凑型封装良好的匹配液体冷却多孔型端子使得接触阻抗更低,实现更可靠的长期电气连接端子孔径与安装定位孔径一
18016583065蔡先生福建安溪灿宏电子科技有限公司 电子模块2024-05-11 09:09:39
[中介]采用CSTBTTM硅片技术,实现开关速度控制的最优化
饱和压降低于业界同类产品
续流二极管:超高速恢复特性,极低拖尾电流
开关频率可达60kHz
模块内部寄生电感低
18016583065蔡先生福建安溪灿宏电子科技有限公司 电子模块2024-05-11 09:09:38
[中介]SEMiX302GAL(R)12E4s 1单元,300A/1200V
SEMiX223GB12Vs 2单元,225A/1200V
18016583065蔡先生福建安溪灿宏电子科技有限公司 电子模块2024-05-11 09:09:37
[中介]
产 品 型 号 参 数 说 明
SKM145GAL176D 1单元,140A/1700V
SKM200GB176D 2单元,200A/1700V
SKM200GAL176D 1单元,200A/1700V
SKM400GAL176D 1单元,400A
18016583065蔡先生福建安溪灿宏电子科技有限公司 电子模块2024-05-11 09:09:37
[中介]超高速型频率30KHZ系列
18016583065蔡先生福建安溪灿宏电子科技有限公司 电子模块2024-05-11 09:09:36
[中介]工作范围:350~6100A,1600~8500V
可控硅应用领域 :
无功补偿、励磁、高压软起动、整流器、工业传动设备、高压变频调速直流输电、
充磁机、可控硅整流电源、感应加热(电炉)、高电压化学、斩波器
18016583065蔡先生福建安溪灿宏电子科技有限公司 电子模块2024-05-11 09:09:32